ភាពជាក់លាក់នៃការកែច្នៃគ្រឿងបន្លាស់
តម្រង High-Q តម្រូវឱ្យមានភាពជាក់លាក់ខ្ពស់បំផុតក្នុងការកែច្នៃសមាសធាតុ។ សូម្បីតែគម្លាតតិចតួចនៃទំហំ រូបរាង ឬទីតាំងក៏អាចប៉ះពាល់យ៉ាងខ្លាំងដល់ដំណើរការរបស់តម្រង និងកត្តា Q ផងដែរ។ ឧទាហរណ៍ នៅក្នុងតម្រងប្រហោង វិមាត្រ និងភាពរដុបនៃផ្ទៃនៃប្រហោងប៉ះពាល់ដោយផ្ទាល់ទៅលើកត្តា Q។ ដើម្បីសម្រេចបាននូវកត្តា Q ខ្ពស់ សមាសធាតុត្រូវតែត្រូវបានកែច្នៃដោយភាពជាក់លាក់ខ្ពស់ ដែលជារឿយៗតម្រូវឱ្យមានបច្ចេកវិទ្យាផលិតកម្មកម្រិតខ្ពស់ដូចជាការកែច្នៃ CNC ឬការកាត់ឡាស៊ែរដែលមានភាពជាក់លាក់។ បច្ចេកវិទ្យាផលិតកម្មបន្ថែមដូចជាការរលាយឡាស៊ែរជ្រើសរើសក៏ត្រូវបានប្រើដើម្បីបង្កើនភាពជាក់លាក់ និងសមត្ថភាពធ្វើម្តងទៀតនៃសមាសធាតុផងដែរ។

ការជ្រើសរើសសម្ភារៈ និងការគ្រប់គ្រងគុណភាព
ការជ្រើសរើសសម្ភារៈសម្រាប់តម្រង Q ខ្ពស់គឺមានសារៈសំខាន់ណាស់។ សម្ភារៈដែលមានការខាតបង់ទាប និងមានស្ថេរភាពខ្ពស់ត្រូវបានទាមទារដើម្បីកាត់បន្ថយការបាត់បង់ថាមពល និងធានាបាននូវដំណើរការដែលមានស្ថេរភាព។ សម្ភារៈទូទៅរួមមានលោហធាតុដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ (ឧទាហរណ៍ ទង់ដែង អាលុយមីញ៉ូម) និងឌីអេឡិចត្រិចដែលមានការខាតបង់ទាប (ឧទាហរណ៍ សេរ៉ាមិចអាលុយមីញ៉ូម)។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ សម្ភារៈទាំងនេះច្រើនតែមានតម្លៃថ្លៃ និងពិបាកក្នុងការដំណើរការ។ លើសពីនេះ ការគ្រប់គ្រងគុណភាពយ៉ាងតឹងរ៉ឹងគឺចាំបាច់ក្នុងអំឡុងពេលជ្រើសរើស និងដំណើរការសម្ភារៈ ដើម្បីធានាបាននូវភាពស៊ីសង្វាក់គ្នានៃលក្ខណៈសម្បត្តិសម្ភារៈ។ ភាពមិនបរិសុទ្ធ ឬពិការភាពណាមួយនៅក្នុងសម្ភារៈអាចនាំឱ្យមានការបាត់បង់ថាមពល និងកត្តា Q ថយចុះ។

ភាពជាក់លាក់នៃការផ្គុំ និងការលៃតម្រូវ
ដំណើរការប្រមូលផ្តុំសម្រាប់តម្រង Q ខ្ពស់ត្រូវតែមានភាពជាក់លាក់ខ្ពស់។ សមាសធាតុនានាត្រូវដាក់ទីតាំង និងផ្គុំឡើងយ៉ាងត្រឹមត្រូវ ដើម្បីជៀសវាងការមិនតម្រឹម ឬចន្លោះប្រហោង ដែលអាចធ្វើឱ្យខូចដំណើរការរបស់តម្រង។ សម្រាប់តម្រង Q ខ្ពស់ដែលអាចលៃតម្រូវបាន ការរួមបញ្ចូលយន្តការលៃតម្រូវជាមួយនឹងប្រហោងតម្រងបង្កបញ្ហាប្រឈមបន្ថែម។ ឧទាហរណ៍ នៅក្នុងតម្រងរំញ័រឌីអេឡិចត្រិចជាមួយនឹងយន្តការលៃតម្រូវ MEMS ទំហំនៃឧបករណ៍បញ្ជា MEMS គឺតូចជាងឧបករណ៍រំញ័រ។ ប្រសិនបើឧបករណ៍រំញ័រ និងឧបករណ៍បញ្ជា MEMS ត្រូវបានផលិតដោយឡែកពីគ្នា ដំណើរការផ្គុំនឹងក្លាយទៅជាស្មុគស្មាញ និងចំណាយច្រើន ហើយការមិនតម្រឹមបន្តិចបន្តួចអាចប៉ះពាល់ដល់ដំណើរការលៃតម្រូវរបស់តម្រង។

ការសម្រេចបាននូវកម្រិតបញ្ជូន និងសមត្ថភាពលៃតម្រូវបានថេរ
ការរចនាតម្រងដែលអាចលៃតម្រូវបាន Q ខ្ពស់ជាមួយនឹងកម្រិតបញ្ជូនថេរគឺជាបញ្ហាប្រឈមមួយ។ ដើម្បីរក្សាកម្រិតបញ្ជូនថេរក្នុងអំឡុងពេលលៃតម្រូវ Qe ដែលផ្ទុកខាងក្រៅត្រូវតែប្រែប្រួលដោយផ្ទាល់ជាមួយប្រេកង់កណ្តាល ខណៈពេលដែលការភ្ជាប់អន្តរឧបករណ៍រំញ័រត្រូវតែប្រែប្រួលបញ្ច្រាសជាមួយប្រេកង់កណ្តាល។ តម្រងដែលអាចលៃតម្រូវបានភាគច្រើនដែលបានរាយការណ៍នៅក្នុងអក្សរសិល្ប៍បង្ហាញពីការថយចុះប្រសិទ្ធភាព និងការប្រែប្រួលកម្រិតបញ្ជូន។ បច្ចេកទេសដូចជាការភ្ជាប់អគ្គិសនី និងម៉ាញេទិកដែលមានតុល្យភាពត្រូវបានប្រើដើម្បីរចនាតម្រងដែលអាចលៃតម្រូវបានកម្រិតបញ្ជូនថេរ ប៉ុន្តែការសម្រេចបាននូវរឿងនេះនៅក្នុងការអនុវត្តនៅតែពិបាក។ ឧទាហរណ៍ តម្រងប្រហោងរបៀបពីរ TE113 ដែលអាចលៃតម្រូវបានត្រូវបានរាយការណ៍ថាសម្រេចបាននូវកត្តា Q ខ្ពស់ 3000 លើជួរលៃតម្រូវរបស់វា ប៉ុន្តែការប្រែប្រួលកម្រិតបញ្ជូនរបស់វានៅតែឈានដល់ ±3.1% ក្នុងជួរលៃតម្រូវតូចមួយ។

ពិការភាពផលិតកម្ម និងផលិតកម្មទ្រង់ទ្រាយធំ
ភាពមិនល្អឥតខ្ចោះនៃការផលិតដូចជារូបរាង ទំហំ និងគម្លាតទីតាំងអាចបង្កើតសន្ទុះបន្ថែមទៅក្នុងម៉ូដ ដែលនាំឱ្យមានការភ្ជាប់ម៉ូដនៅចំណុចផ្សេងៗគ្នានៅក្នុងលំហ k និងការបង្កើតឆានែលវិទ្យុសកម្មបន្ថែម ដោយហេតុនេះកាត់បន្ថយកត្តា Q។ សម្រាប់ឧបករណ៍ណាណូហ្វូតូនិកទំហំទំនេរ ផ្ទៃផលិតធំជាង និងឆានែលដែលបាត់បង់កាន់តែច្រើនដែលទាក់ទងនឹងអារេណាណូស្ត្រុកទ័រធ្វើឱ្យវាពិបាកក្នុងការសម្រេចបានកត្តា Q ខ្ពស់។ ខណៈពេលដែលសមិទ្ធផលពិសោធន៍បានបង្ហាញកត្តា Q ខ្ពស់ដល់ 10⁹ នៅក្នុងមីក្រូរេសូណាទ័រនៅលើបន្ទះឈីប ការផលិតតម្រង Q ខ្ពស់ទ្រង់ទ្រាយធំជារឿយៗមានតម្លៃថ្លៃ និងចំណាយពេលច្រើន។ បច្ចេកទេសដូចជាការថតចម្លងពន្លឺពណ៌ប្រផេះត្រូវបានប្រើដើម្បីផលិតអារេតម្រងទំហំ wafer ប៉ុន្តែការសម្រេចបានកត្តា Q ខ្ពស់ក្នុងការផលិតទ្រង់ទ្រាយធំនៅតែជាបញ្ហាប្រឈម។

ការសម្របសម្រួលរវាងប្រសិទ្ធភាព និងថ្លៃដើម
តម្រង High-Q ជាធម្មតាតម្រូវឱ្យមានការរចនាស្មុគស្មាញ និងដំណើរការផលិតដែលមានភាពជាក់លាក់ខ្ពស់ ដើម្បីសម្រេចបាននូវដំណើរការខ្ពស់ ដែលបង្កើនថ្លៃដើមផលិតកម្មយ៉ាងខ្លាំង។ នៅក្នុងការអនុវត្តជាក់ស្តែង មានតម្រូវការក្នុងការធ្វើឱ្យមានតុល្យភាពរវាងដំណើរការ និងថ្លៃដើម។ ឧទាហរណ៍ បច្ចេកវិទ្យាស៊ីលីកុនមីក្រូម៉ាឈីនអនុញ្ញាតឱ្យមានការផលិតជាបាច់ដែលមានតម្លៃទាបនៃឧបករណ៍រំញ័រ និងតម្រងដែលអាចលៃតម្រូវបាននៅកម្រិតប្រេកង់ទាប។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ ការសម្រេចបាននូវកត្តា Q ខ្ពស់នៅក្នុងកម្រិតប្រេកង់ខ្ពស់នៅតែមិនទាន់ត្រូវបានរុករកនៅឡើយ។ ការរួមបញ្ចូលគ្នានូវបច្ចេកវិទ្យាលៃតម្រូវ RF MEMS ស៊ីលីកុនជាមួយនឹងបច្ចេកទេសចាក់ផ្សិតដែលមានប្រសិទ្ធភាពចំណាយ ផ្តល់នូវដំណោះស្រាយដ៏មានសក្តានុពលសម្រាប់ការផលិតតម្រង Q ខ្ពស់ដែលអាចធ្វើមាត្រដ្ឋានបាន និងមានតម្លៃទាប ខណៈពេលដែលរក្សាបាននូវដំណើរការខ្ពស់។